Imprimir página
SST39SF010A-70-4C-PHE
Memoria Flash, NOR Paralela, 1 Mbit, 128K x 8bit, Paralelo, DIP, 32 Pines
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteMICROCHIP
Referencia del fabricanteSST39SF010A-70-4C-PHE
Código Farnell3380409
Rango de Producto5V Parallel NOR Flash Memories
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
1260 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,560 € |
| 25+ | 2,470 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
2,56 € (Excl. IVA)
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteMICROCHIP
Referencia del fabricanteSST39SF010A-70-4C-PHE
Código Farnell3380409
Rango de Producto5V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNOR Paralela
Densidad de Memoria1Mbit
Configuración de Memoria128K x 8bit
InterfacesParalelo
Encapsulado del CIDIP
Número de pines32Pins
Frecuencia de Reloj Máx.14MHz
Tiempo de Acceso70ns
Tensión de Alimentación Mín.4.5V
Tensión de Alimentación Máx.5.5V
Tensión de Alimentación Nominal5V
Montaje de CirucitoAgujero Pasante
Temperatura de Trabajo Mín.0°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.70°C
Gama de Producto5V Parallel NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The SST39SF010A-70-4C-PHE is a CMOS Multi-purpose Flash (MPF) device manufactured with SST proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches. The SST39SF010A writes (program or erase) with a 4.5 to 5.5V power supply and conforms to JEDEC standard pinouts for x8 memories.
- Organized as 128k x8/256k x8/512k x8
- Single 4.5 to 5.5V read and write operations
- Superior reliability
- Low power consumption
- Sector-erase capability - Uniform 4kB sectors
- Fast read access time - 55 to 70ns
- Latched address and data
- Automatic write timing - Internal VPP generation
- End-of-write detection
- TTL I/O compatibility
- JEDEC standard - Flash EEPROM pinouts and command sets
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NOR Paralela
Configuración de Memoria
128K x 8bit
Encapsulado del CI
DIP
Frecuencia de Reloj Máx.
14MHz
Tensión de Alimentación Mín.
4.5V
Tensión de Alimentación Nominal
5V
Temperatura de Trabajo Mín.
0°C
Gama de Producto
5V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Densidad de Memoria
1Mbit
Interfaces
Paralelo
Número de pines
32Pins
Tiempo de Acceso
70ns
Tensión de Alimentación Máx.
5.5V
Montaje de Cirucito
Agujero Pasante
Temperatura de Funcionamiento Máx.
70°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para SST39SF010A-70-4C-PHE
Se ha encontrado 1 producto
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.007917
Trazabilidad del producto