AT28C64B-15PU

El AT28C64B-15PU es un dispositivo EEPROM paralelo 64K (8K x 8bit) de alto rendimiento en encapsulado DIP de 28 pines. La memoria de 64K está organizada en 8192 palabras por 8 bits. Este dispositivo EEPROM está fabricado con la tecnología CMOS no volátil avanzada, de manera que ofrece un tiempo de acceso de 150 ns con disipación de potencia de 220 mW. Cuando el dispositivo no está seleccionado, el consumo de corriente en suspensión CMOS es inferior a 100μA. El AT28C64B-15PU se accede como una RAM estática para ciclo de lectura o escritura sin necesidad de componentes externos. El dispositivo contiene un registro de páginas de 64 bytes que permite la escritura de hasta 64 bytes de forma simultánea. Utiliza corrección interna de errores para un rendimiento mejorado y características optimizadas de retención de datos. El AT28C64B-15PU también incluye 64 bytes extra de EEPROM para identificación o seguimiento de dispositivo.

• Entradas y salidas compatibles con CMOS y TTL
• Corriente activa de 40mA
• Operación automática de escritura de página
• Alimentación simple de 5V
• Protección de datos de software y hardware
• Configuración de pines de ancho de byte con aprobación JEDEC
• Tiempo máximo de ciclo de escritura de página de 10ms (estándar)
• Tecnología CMOS de alta fiabilidad
• Operación de escritura de página de 1byte a 64byte
• Rango de temperatura de funcionamiento de -40°C a 85°C

Advertencias

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