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FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteLSIC1MO120E0080
Código Farnell3361191
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 18,240 € |
5+ | 15,930 € |
10+ | 13,620 € |
50+ | 12,530 € |
100+ | 11,440 € |
250+ | 11,210 € |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteLSIC1MO120E0080
Código Farnell3361191
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id39A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.08ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de pines3Pins
Tensión de Prueba Rds(on)20V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.8V
Disipación de Potencia179W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
39A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.08ohm
Número de pines
3Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.8V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
179W
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002
Trazabilidad del producto