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IXTN200N10L2
MOSFET, N-CH, 100V, 178A, SOT-227
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FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXTN200N10L2
Código Farnell3771792
Rango de ProductoLinearL2 Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 47,460 € |
| 5+ | 41,650 € |
| 10+ | 35,840 € |
| 25+ | 35,130 € |
| 50+ | 34,410 € |
| 100+ | 33,700 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXTN200N10L2
Código Farnell3771792
Rango de ProductoLinearL2 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id178A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.011ohm
Encapsulado del TransistorSOT-227
Montaje de TransistorModule
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4.5V
Disipación de Potencia830W
Número de Pines4Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoLinearL2 Series
Calificación-
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Corriente de Drenaje Continua Id
178A
Encapsulado del Transistor
SOT-227
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
830W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.011ohm
Montaje de Transistor
Module
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4.5V
Número de Pines
4Pins
Gama de Producto
LinearL2 Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.023587