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IXTN110N20L2
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 200 V, 0.024 ohm, 10 V, 4.5 V
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FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXTN110N20L2
Código Farnell3930140
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 38,870 € |
| 5+ | 34,980 € |
| 10+ | 29,060 € |
| 50+ | 28,480 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXTN110N20L2
Código Farnell3930140
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id100A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)200V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.024ohm
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.024ohm
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4.5V
Disipación de Potencia735W
Disipación de Potencia Pd735W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
N-channel enhancement mode guaranteed FBSOA avalanche rated suitable for use in programmable loads, current regulators, DC-DC converters, battery chargers, DC choppers, temperature and lighting controls applications.
- Linear L2™ power MOSFET w/extended FBSOA
- Designed for linear operation
- Guaranteed FBSOA at 75°C
- Moulding epoxy meets UL94 V-0 flammability classification
- MiniBLOC with aluminium nitride isolation
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
100A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.024ohm
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
735W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
200V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.024ohm
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4.5V
Disipación de Potencia Pd
735W
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto