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IXTH64N10L2
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 64 A, 0.032 ohm, TO-247, Orificio Pasante
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 7,630 € |
| 5+ | 6,240 € |
| 10+ | 4,840 € |
| 50+ | 4,760 € |
| 100+ | 4,690 € |
| 250+ | 4,610 € |
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXTH64N10L2
Código Farnell3930115
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id64A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.032ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4.5V
Disipación de Potencia357W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
N-channel enhancement mode guaranteed FBSOA avalanche rated LinearL2™ power MOSFET w/extended FBSOA. Suitable for use in solid state circuit breakers, soft start controls, linear amplifiers, programmable loads and current regulators applications.
- Designed for linear operation
- Guaranteed FBSOA at 75°C
- Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
- Space savings
- High power density
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
64A
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
357W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.032ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4.5V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto