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IXFN90N85X
Transistor MOSFET, Canal N, 90 A, 850 V, 0.041 ohm, 10 V, 5.5 V
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 49,460 € |
| 5+ | 46,350 € |
| 10+ | 43,250 € |
| 50+ | 40,140 € |
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXFN90N85X
Código Farnell3930244
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Polaridad de TransistorCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id90A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)850V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.041ohm
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.041ohm
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5.5V
Disipación de Potencia Pd1.2kW
Disipación de Potencia1.2kW
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor control, robotics and servo controls application.
- X-Class HiPerFET™ power MOSFET
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
90A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.041ohm
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
1.2kW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Polaridad de Transistor
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
850V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.041ohm
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5.5V
Disipación de Potencia
1.2kW
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto