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IXFN360N15T2
Transistor MOSFET, Canal N, 310 A, 150 V, 0.004 ohm, 10 V, 5 V
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FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXFN360N15T2
Código Farnell4060231
Rango de ProductoGigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 45,610 € |
| 5+ | 41,890 € |
| 10+ | 38,170 € |
| 50+ | 34,450 € |
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXFN360N15T2
Código Farnell4060231
Rango de ProductoGigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id310A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)150V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.004ohm
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5V
Disipación de Potencia1070W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoGigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
150V
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1070W
Gama de Producto
GigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
Corriente de Drenaje Continua Id
310A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.004ohm
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0001
Trazabilidad del producto