Imprimir página
IXFN300N20X3
Transistor MOSFET, Canal N, 300 A, 200 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4.5 V
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXFN300N20X3
Código Farnell3930137
Hoja de datos técnicos
216 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
Disponible hasta que se agoten las existencias
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 40,480 € |
| 5+ | 38,460 € |
| 10+ | 35,690 € |
| 50+ | 31,320 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
40,48 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXFN300N20X3
Código Farnell3930137
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Polaridad de TransistorCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id300A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)200V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.0035ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0035ohm
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4.5V
Disipación de Potencia695W
Disipación de Potencia Pd695W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
N-channel enhancement mode avalanche rated X3-Class HiPerFET™ power MOSFET. It is suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor drives, PFC circuits, robotics and servo controls applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
300A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.0035ohm
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
695W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Polaridad de Transistor
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
200V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0035ohm
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4.5V
Disipación de Potencia Pd
695W
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.044497