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IXFN230N20T
Transistor MOSFET, Canal N, 220 A, 200 V, 0.0075 ohm, 10 V, 5 V
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 34,500 € |
| 5+ | 32,310 € |
| 10+ | 30,110 € |
| 50+ | 27,920 € |
| 100+ | 25,720 € |
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Mínimo: 1
Múltiplo: 1
34,50 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXFN230N20T
Código Farnell3930243
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Polaridad de TransistorCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id220A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)200V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.0075ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0075ohm
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5V
Disipación de Potencia Pd1.09kW
Disipación de Potencia1.09kW
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It Is suitable for use in synchronous rectification, DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, AC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- GigaMOS™ power MOSFET
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
220A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.0075ohm
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
1.09kW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Polaridad de Transistor
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
200V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0075ohm
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5V
Disipación de Potencia
1.09kW
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto