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IXFN210N30P3
Transistor MOSFET, Canal N, 192 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V
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FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXFN210N30P3
Código Farnell3930486
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 42,600 € |
| 5+ | 40,470 € |
| 10+ | 34,300 € |
| 50+ | 30,110 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXFN210N30P3
Código Farnell3930486
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id192A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)300V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.0145ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0145ohm
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5V
Disipación de Potencia Pd1.5kW
Disipación de Potencia1.5kW
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic rectifier. It Is suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Dynamic dv/dt rating
- Low RDS(on)
- Low drain-to-tab capacitance
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
192A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.0145ohm
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
1.5kW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
300V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0145ohm
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5V
Disipación de Potencia
1.5kW
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto