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IXFN210N20P
Transistor MOSFET, Canal N, 188 A, 200 V, 0.00105 ohm, 10 V, 4.5 V
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 42,260 € |
| 5+ | 37,030 € |
| 10+ | 31,800 € |
| 50+ | 30,000 € |
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXFN210N20P
Código Farnell3930242
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Polaridad de TransistorCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id188A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)200V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.00105ohm
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.00105ohm
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4.5V
Disipación de Potencia1.07kW
Disipación de Potencia Pd1.07kW
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It Is suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, AC and DC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Low RDS(ON) and QG
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
188A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.00105ohm
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.07kW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Polaridad de Transistor
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
200V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.00105ohm
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4.5V
Disipación de Potencia Pd
1.07kW
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto