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IXYN100N120C3H1
Módulo IGBT, Simple, 134 A, 3.5 V, 690 W, 150 °C, SOT-227B
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteIXYN100N120C3H1
Código Farnell2674801
Rango de ProductoXPT GenX3
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteIXYN100N120C3H1
Código Farnell2674801
Rango de ProductoXPT GenX3
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N
Configuración IGBTSimple
Corriente de Colector Continua134A
Corriente de Colector DC134A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)3.5V
Tensión de Saturación de Colector-Emisor3.5V
Disipación de Potencia690W
Disipación de Potencia Pd690W
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Unión Tj Máx.150°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Encapsulado del TransistorSOT-227B
Número de pines4Pins
Terminación IGBTPerno
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 3 Alta Velocidad
Montaje de TransistorPanel
Gama de ProductoXPT GenX3
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (17-Jan-2023)
Resumen del producto
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Colector Continua
134A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
3.5V
Disipación de Potencia
690W
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
1.2kV
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Número de pines
4Pins
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (17-Jan-2023)
Configuración IGBT
Simple
Corriente de Colector DC
134A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
3.5V
Disipación de Potencia Pd
690W
Temperatura de Unión Tj Máx.
150°C
Encapsulado del Transistor
SOT-227B
Terminación IGBT
Perno
Tecnología IGBT
IGBT 3 Alta Velocidad
Gama de Producto
XPT GenX3
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.113398