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IXTN210P10T
Transistor MOSFET, Canal P, 210 A, 100 V, 0.0075 ohm, 10 V, 4.5 V, SOT-227B
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteIXTN210P10T
Código Farnell3438414
Rango de ProductoTrenchP
Hoja de datos técnicos
78 Productos en Stock
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 45,890 € |
| 5+ | 42,260 € |
| 10+ | 38,630 € |
| 50+ | 35,000 € |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteIXTN210P10T
Código Farnell3438414
Rango de ProductoTrenchP
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal P
Tipo de CanalCanal P
Corriente de Drenaje Continua Id210A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.0075ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0075ohm
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4.5V
Disipación de Potencia830W
Disipación de Potencia Pd830W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoTrenchP
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Resumen del producto
IXTN210P10T is a TrenchP™ power MOSFET. Suitable for high-side switching, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators and battery charger applications.
- P-channel enhancement mode
- Avalanche rated and fast intrinsic rectifier
- International standard package
- Low intrinsic gate resistance
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Extended FBSOA and low RDS(ON) and QG
- Easy to mount, space savings and high power density
- 210A continuous drain current Id
- 100V drain source voltage Vds, 10V Rds(on) test voltage, 4.5V max gate source threshold voltage
- 0.0075ohm drain source on state resistance
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
210A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.0075ohm
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
830W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (12-Jan-2017)
Tipo de Canal
Canal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0075ohm
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4.5V
Disipación de Potencia Pd
830W
Gama de Producto
TrenchP
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (12-Jan-2017)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.004
Trazabilidad del producto