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IXKN75N60C
Transistor MOSFET, Canal N, 75 A, 600 V, 0.03 ohm, 10 V, 3.9 V, SOT-227B
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteIXKN75N60C
Código Farnell3438400
Rango de ProductoCoolMOS Series
Hoja de datos técnicos
Fuera de inventario
Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteIXKN75N60C
Código Farnell3438400
Rango de ProductoCoolMOS Series
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id75A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)600V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.03ohm
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.03ohm
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.9V
Disipación de Potencia Pd560W
Disipación de Potencia560W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoCoolMOS Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Resumen del producto
IXKN75N60C is a CoolMOS™ power MOSFET. Typical applications are switched mode power supplies (SMPS), uninterruptible power supplies (UPS), power factor correction (PFC), welding, inductive heating.
- N-channel enhancement mode, low RDSon, high VDSS
- MiniBLOC package, electrically isolated copper base
- Low coupling capacitance to the heatsink for reduced EMI
- High power dissipation due to AlN ceramic substrate
- International standard package SOT-227, easy screw assembly
- High blocking capability, low on resistance
- Avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS)
- Low thermal resistance due to reduced chip thickness, enhanced total power density
- Voltage rating VDSS is 600V at TVJ = 25°C to 150°C, current rating ID25 is 75A at TC = 25°C
- Resistor RDS(on) is 36mohm at VGS = 10V, ID = ID90
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
75A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.03ohm
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
560W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (12-Jan-2017)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
600V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.03ohm
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.9V
Disipación de Potencia
560W
Gama de Producto
CoolMOS Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (12-Jan-2017)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.004