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IXFN80N50
Transistor MOSFET, HiPerFET, Canal N, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteIXFN80N50
Código Farnell7348029
Rango de ProductoHiPerFET Series
Hoja de datos técnicos
95 Productos en Stock
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 55,930 € |
| 5+ | 53,130 € |
| 10+ | 40,620 € |
| 50+ | 39,530 € |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteIXFN80N50
Código Farnell7348029
Rango de ProductoHiPerFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Polaridad de TransistorCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id80A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)500V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.055ohm
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.055ohm
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Montaje de TransistorMódulo
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4.5V
Disipación de Potencia780W
Disipación de Potencia Pd780W
Encapsulado del TransistorISOTOP
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Número de Pines4Pins
Calificación-
Gama de ProductoHiPerFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
The IXFN80N50 is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC, with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- High dv/dt rating
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
80A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.055ohm
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4.5V
Disipación de Potencia Pd
780W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Polaridad de Transistor
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
500V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.055ohm
Montaje de Transistor
Módulo
Disipación de Potencia
780W
Encapsulado del Transistor
ISOTOP
Número de Pines
4Pins
Gama de Producto
HiPerFET Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.234507