Imprimir página
IXFN48N60P
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 5.5 V, SOT-227B
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteIXFN48N60P
Código Farnell2674761
Rango de ProductoPolarHV HiPerFET
Hoja de datos técnicos
272 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
Disponible hasta que se agoten las existencias
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 24,820 € |
| 5+ | 22,340 € |
| 10+ | 16,900 € |
| 50+ | 16,310 € |
| 100+ | 15,720 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
24,82 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteIXFN48N60P
Código Farnell2674761
Rango de ProductoPolarHV HiPerFET
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id40A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)600V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.14ohm
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.14ohm
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5.5V
Disipación de Potencia625W
Disipación de Potencia Pd625W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoPolarHV HiPerFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
40A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.14ohm
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
625W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (17-Jan-2023)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
600V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.14ohm
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5.5V
Disipación de Potencia Pd
625W
Gama de Producto
PolarHV HiPerFET
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.03