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IXFN140N30P
Transistor MOSFET, PolarFET, Canal N, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteIXFN140N30P
Código Farnell1427320
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 31,020 € |
| 5+ | 26,970 € |
| 10+ | 22,920 € |
| 50+ | 22,720 € |
| 100+ | 22,520 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteIXFN140N30P
Código Farnell1427320
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id140A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)300V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.024ohm
Encapsulado del TransistorISOTOP
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Montaje de TransistorMódulo
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5V
Disipación de Potencia700W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Número de pines4Pins
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
The IXFN140N30P is a Polar™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers and high speed power switching applications.
- Avalanche rating
- Low Qg
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
300V
Encapsulado del Transistor
ISOTOP
Montaje de Transistor
Módulo
Disipación de Potencia
700W
Número de pines
4Pins
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Corriente de Drenaje Continua Id
140A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.024ohm
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.03
Trazabilidad del producto