Imprimir página
DSEI120-12A
Diodo Rápido / Ultrarápido, 1.2 kV, 109 A, Único, 1.55 V, 60 ns, 600 A
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteDSEI120-12A
Código Farnell1427253
Rango de ProductoDSEI1
Hoja de datos técnicos
211 Productos en Stock
300 Ahora puede reservar el stock
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 11,570 € |
| 5+ | 10,040 € |
| 10+ | 8,500 € |
| 50+ | 8,420 € |
| 100+ | 8,330 € |
| 250+ | 8,250 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
11,57 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteDSEI120-12A
Código Farnell1427253
Rango de ProductoDSEI1
Hoja de datos técnicos
Tensión inversa repetitiva máx.1.2kV
Corriente Directa Promedio109A
Configuración de DiodoÚnico
Tensión Directa Máxima1.55V
Tiempo de Recuperación Inversa60ns
Sobrecorriente Directa600A
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Encapsulado del DiodoTO-247
Número de pines2 Pines
Gama de ProductoDSEI1
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
El DSEI120-12A es un diodo epitaxial de recuperación rápida (FRED) con chip pasivado planar, tiempo de recuperación muy corto, pérdidas por conmutación extremadamente bajas y comportamiento de recuperación suave. Adecuado para calentamiento y fusión por inducción, limpiadores ultrasónicos y soldadores.
- Operación de circuito de alta fiabilidad
- Picos de baja tensión para circuitos de protección reducida
- Conmutación de bajo ruido
- Bajas pérdidas
- Operación a temperatura inferior o ahorro de espacio con refrigeración reducida
- Potencia total de 357W
- Epoxi conforme con UL94V-0
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Tensión inversa repetitiva máx.
1.2kV
Configuración de Diodo
Único
Tiempo de Recuperación Inversa
60ns
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Número de pines
2 Pines
Calificación
-
Corriente Directa Promedio
109A
Tensión Directa Máxima
1.55V
Sobrecorriente Directa
600A
Encapsulado del Diodo
TO-247
Gama de Producto
DSEI1
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.006
Trazabilidad del producto