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IS43TR16128C-15HBL
SDRAM, 128M x 16bit, 255ps, Interfaz Paralela, BGA-96
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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Referencia del fabricanteIS43TR16128C-15HBL
Código Farnell2901181
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 6,160 € |
| 10+ | 5,620 € |
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| 50+ | 5,080 € |
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Referencia del fabricanteIS43TR16128C-15HBL
Código Farnell2901181
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMDDR3
Densidad de Memoria2Gbit
Configuración de Memoria128M x 16bit
Frecuencia de Reloj Máx.667MHz
Encapsulado del CIBGA
Número de pines96Pins
Tensión de Alimentación Nominal1.5V
Montaje de CirucitoMontaje en superficie
Temperatura de Trabajo Mín.0°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.95°C
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jul-2019)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
DDR3
Configuración de Memoria
128M x 16bit
Encapsulado del CI
BGA
Tensión de Alimentación Nominal
1.5V
Temperatura de Trabajo Mín.
0°C
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jul-2019)
Densidad de Memoria
2Gbit
Frecuencia de Reloj Máx.
667MHz
Número de pines
96Pins
Montaje de Cirucito
Montaje en superficie
Temperatura de Funcionamiento Máx.
95°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423245
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jul-2019)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001438