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IS43DR16128C-25DBL
DRAM, 128M x 16bit, WBGA-84
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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Referencia del fabricanteIS43DR16128C-25DBL
Código Farnell2787038
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 7,800 € |
| 10+ | 7,240 € |
| 25+ | 7,030 € |
| 50+ | 7,020 € |
| 100+ | 7,000 € |
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Referencia del fabricanteIS43DR16128C-25DBL
Código Farnell2787038
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMDDR2
Densidad de Memoria2Gbit
Configuración de Memoria128M x 16bit
Frecuencia de Reloj Máx.400MHz
Encapsulado del CIWBGA
Número de pines84Pins
Tensión de Alimentación Nominal1.8V
Montaje de CirucitoMontaje en superficie
Temperatura de Trabajo Mín.0°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.85°C
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jul-2019)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
DDR2
Configuración de Memoria
128M x 16bit
Encapsulado del CI
WBGA
Tensión de Alimentación Nominal
1.8V
Temperatura de Trabajo Mín.
0°C
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jul-2019)
Densidad de Memoria
2Gbit
Frecuencia de Reloj Máx.
400MHz
Número de pines
84Pins
Montaje de Cirucito
Montaje en superficie
Temperatura de Funcionamiento Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jul-2019)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00714