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IS42S16100H-7BLI-TR
SDRAM, 1M x 16bit, 5.5ns, Interfaz Paralela, BGA-60
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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Referencia del fabricanteIS42S16100H-7BLI-TR
Código Farnell2901163RL
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 1,490 € |
| 250+ | 1,480 € |
| 500+ | 1,470 € |
| 1000+ | 1,460 € |
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Referencia del fabricanteIS42S16100H-7BLI-TR
Código Farnell2901163RL
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMSDR
Densidad de Memoria16Mbit
Configuración de Memoria1M x 16 bits
Frecuencia de Reloj Máx.143MHz
Encapsulado del CIBGA
Número de pines60Pins
Tensión de Alimentación Nominal3.3V
Montaje de CirucitoMontaje en superficie
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.85°C
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jul-2019)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
SDR
Configuración de Memoria
1M x 16 bits
Encapsulado del CI
BGA
Tensión de Alimentación Nominal
3.3V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jul-2019)
Densidad de Memoria
16Mbit
Frecuencia de Reloj Máx.
143MHz
Número de pines
60Pins
Montaje de Cirucito
Montaje en superficie
Temperatura de Funcionamiento Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423245
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jul-2019)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00008