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SPW16N50C3FKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 560 V, 16 A, 0.25 ohm, TO-247, Orificio Pasante
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteSPW16N50C3FKSA1
Código Farnell1664136
También conocido comoSPW16N50C3, SP000014472
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 3,540 € |
| 10+ | 3,170 € |
| 100+ | 1,980 € |
| 500+ | 1,720 € |
| 1000+ | 1,690 € |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteSPW16N50C3FKSA1
Código Farnell1664136
También conocido comoSPW16N50C3, SP000014472
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)560V
Corriente de Drenaje Continua Id16A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.25ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3V
Disipación de Potencia160W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The SPW16N50C3 is a CoolMOS™ N-channel Power MOSFET comes with a new revolutionary high voltage technology. It offers ultra-low gate charge and ultra-low effective capacitances. The 500V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the “working horse" of the portfolio.
- Low specific ON-state resistance
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss) @ 400V
- Low gate charge (Qg)
- Field proven CoolMOS™ quality
- High efficiency and power density
- High reliability
- Ease of use
- Periodic avalanche rated
- Extreme dV/dt rated
- Improved transconductance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Green device
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Notas
Una alternativa para 500V CoolMOS™ C3 es 500V CoolMOS™ CE.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
16A
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
160W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
560V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.25ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.018144
Trazabilidad del producto