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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteS78HL512TC0BHB003
Código Farnell4125864RL
También conocido comoSP005728089, S78HL512TC0BHB003
Hoja de datos técnicos
1966 Productos en Stock
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 15,280 € |
10+ | 14,170 € |
25+ | 13,720 € |
50+ | 12,310 € |
100+ | 12,010 € |
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Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteS78HL512TC0BHB003
Código Farnell4125864RL
También conocido comoSP005728089, S78HL512TC0BHB003
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria Flash-
Densidad de Memoria512Mbit
Tamaño de la Memoria512Mbit
Configuración de Memoria Flash-
Configuración de Memoria-
Tipo de Interfaz de CircuitoHyperBus
InterfacesHyperBus
Encapsulado del CIFBGA
Encapsulado de MemoriaFBGA
Número de Pines24Pins
Frecuencia de Reloj166MHz
Frecuencia de Reloj Máx.166MHz
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.2.7V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nominal-
Montaje de CirucitoMontaje en superficie
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.105°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- SEMPER™ Flash and HYPERRAM™ 2.0 with HYPERBUS™ interface in multi-chip package (MCP)
- 3.0V, 512Mb SEMPER™ Flash and 64Mb HYPERRAM™ 2.0
- 512Mb SEMPER™ flash density, 45-nm MIRRORBIT™ Process technology SEMPER™ flash device technology
- 64Mb HYPERRAM™ density, 24-ball FBGA 8 x 8 x 1.2mm package type, low-halogen package material
- Automotive, AEC-Q100 grade 2, operating temperature range from -40°C to +105°C, 166MHz
- Chip select (CS#), 8-bit data bus (DQ[7:0]), data strobe (DS/RWDS)
- Bidirectional DS/mask, output at the start of all transactions to indicate refresh latency
- Output during read transactions as read DS, optional signals
- Busy to ready transition, RSTO# output to generate system level power-on-reset (POR)
- User configurable RSTO# LOW period, high-performance, DDR, two data transfers per clock
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
-
Tamaño de la Memoria
512Mbit
Configuración de Memoria
-
Interfaces
HyperBus
Encapsulado de Memoria
FBGA
Frecuencia de Reloj
166MHz
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
Montaje de Cirucito
Montaje en superficie
Temperatura de Funcionamiento Máx.
105°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Densidad de Memoria
512Mbit
Configuración de Memoria Flash
-
Tipo de Interfaz de Circuito
HyperBus
Encapsulado del CI
FBGA
Número de Pines
24Pins
Frecuencia de Reloj Máx.
166MHz
Tensión de Alimentación Mín.
2.7V
Tensión de Alimentación Nominal
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423990
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001553
Trazabilidad del producto