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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteS70FL01GSAGMFI013
Código Farnell2772809
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
También conocido comoSP005667975, S70FL01GSAGMFI013
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 12,830 € |
10+ | 11,900 € |
25+ | 11,530 € |
50+ | 10,350 € |
100+ | 9,950 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteS70FL01GSAGMFI013
Código Farnell2772809
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
También conocido comoSP005667975, S70FL01GSAGMFI013
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNOR Serie
Densidad de Memoria1Gbit
Configuración de Memoria128M x 8bit
InterfacesSPI
Encapsulado del CISOIC
Número de pines16Pins
Frecuencia de Reloj Máx.133MHz
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.2.7V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nominal3V
Montaje de CirucitoMontaje en superficie
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.85°C
Gama de Producto3V Serial NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
La S70FL01GSAGMFI013 es una memoria flash de interfaz periférica serial (SPI). Incluye funciones de seguridad como una matriz de programa de un solo uso (OTP) de 2048 bytes, protección de bloque (bits de registro de estado para controlar la protección contra la programación o el borrado de un rango contiguo de sectores, opciones de control de hardware y software, protección avanzada de sectores (ASP) y protección individual de sectores controlada por código de arranque o contraseña).
- Núcleo CMOS 3.0 V, interfaz periférica en serie (SPI) con E/S múltiple
- Tecnología MirrorBit® de 65 nm con arquitectura Eclipse™
- Borrar (0,5 Mbytes/s), sectores uniformes de 256 kbytes
- Resistencia cíclica, 100.000 ciclos de borrado de programa, mínimo
- Retención de datos de 20 años mínimo
- Rango de tensión de alimentación del núcleo de 2,7V a 3,6V
- Rango de alimentación de tensión E/S de 1,65 V a 3,6 V
- Velocidad de 133 MHz
- Encapsulado SO de 16 pines
- Rango de temperatura industrial de -40°C a 85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NOR Serie
Configuración de Memoria
128M x 8bit
Encapsulado del CI
SOIC
Frecuencia de Reloj Máx.
133MHz
Tensión de Alimentación Mín.
2.7V
Tensión de Alimentación Nominal
3V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Gama de Producto
3V Serial NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Densidad de Memoria
1Gbit
Interfaces
SPI
Número de pines
16Pins
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
Montaje de Cirucito
Montaje en superficie
Temperatura de Funcionamiento Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423275
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000638
Trazabilidad del producto