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IRLR4132TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 78 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRLR4132TRPBF
Código Farnell2726020
Rango de ProductoHEXFET
También conocido comoSP001567364
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)30V
Corriente de Drenaje Continua Id78A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0025ohm
Encapsulado del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.35V
Disipación de Potencia140W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
IRLR4132TRPBF is a HEXFET® Power MOSFET in a TO-220AB package optimized for UPS/Inverter applications and low voltage power tools.
- Drain-to-source voltage VDS of 30V, gate-to-source voltage of ±20V
- Best in class performance for UPS/inverter applications
- Very low RDS(on) at 4.5V VGS
- Ultra-low gate impedance
- Fully characterized avalanche voltage and current
- Operating temperature range from -55 to + 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
78A
Encapsulado del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
140W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
30V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0025ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.35V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0004