Imprimir página
IRFR9120NTRPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRFR9120NTRPBF
Código Farnell2101422
También conocido comoSP001557182
Hoja de datos técnicos
2483 Productos en Stock
2000 Ahora puede reservar el stock
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,350 € |
| 10+ | 0,902 € |
| 100+ | 0,611 € |
| 500+ | 0,470 € |
| 1000+ | 0,416 € |
| 5000+ | 0,378 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
1,35 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRFR9120NTRPBF
Código Farnell2101422
También conocido comoSP001557182
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id6.6A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.48ohm
Encapsulado del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia40W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The IRFR9120NTRPBF is a HEXFET® fifth generation single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
- Advanced process technology
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
6.6A
Encapsulado del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
40W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.48ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (4)
Alternativas para IRFR9120NTRPBF
Se ha encontrado 1 producto
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000585
Trazabilidad del producto