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IRFB4110PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 180 A, 0.0045 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRFB4110PBF
Código Farnell1436955
También conocido comoSP001570598
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,210 € |
| 10+ | 2,160 € |
| 100+ | 1,060 € |
| 500+ | 1,030 € |
| 1000+ | 1,000 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRFB4110PBF
Código Farnell1436955
También conocido comoSP001570598
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id180A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0045ohm
Encapsulado del TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia370W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRFB4110PBF es un MOSFET de potencia HEXFET® con canal N simple de 100V que presenta resistencia en estado conductor extremadamente baja por área de silicio y rendimiento de conmutación rápido empleando la tecnología MOSFET de zanja. Apto para rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, fuente de alimentación no interrumpida, conmutación de potencia de alta velocidad, circuitos de alta frecuencia y conmutación dura.
- Robustez mejorada de puerta, avalancha y capacidad dv/dt dinámica
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
180A
Encapsulado del Transistor
TO-220AB
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
370W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0045ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para IRFB4110PBF
Se ha encontrado 1 producto
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Mexico
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Mexico
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002041
Trazabilidad del producto