IRF7389TRPBF
MOSFET Doble, Canal complementario N y P, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
8000 Ahora puede reservar el stock
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 1,370 € |
| 50+ | 0,868 € |
| 250+ | 0,577 € |
| 1000+ | 0,412 € |
| 2000+ | 0,390 € |
Información del producto
Resumen del producto
The IRF7389TRPBF is a HEXFET power MOSFET in 8 pin SOIC package. This dual N/P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
- Generation V technology
- Ultra low ON-resistance
- Complimentary half bridge
- Fully avalanche rated
- 30V P channel and -30V N channel drain to source voltage
- 7.3A P channel and -5.3A N channel continues drain current
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Canal complementario N y P
30V
7.3A
0.023ohm
8Pins
2.5W
-
MSL 1 - Ilimitado
30V
7.3A
0.023ohm
SOIC
2.5W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos asociados
Se ha encontrado 1 producto
Legislación y medioambiente
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto