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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 1,880 € |
10+ | 1,400 € |
50+ | 1,140 € |
100+ | 1,080 € |
250+ | 1,060 € |
500+ | 1,030 € |
1000+ | 0,969 € |
2500+ | 0,942 € |
Información del producto
Resumen del producto
The IR2117SPBF is a single-channel Power MOSFET and IGBT Driver features proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enables ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS outputs. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high or low-side configuration which operates up to 600V.
- Floating channel designed for bootstrap operation
- Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
- Under-voltage lockout
- CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
- Output in phase with input
- High voltage
- High speed
Advertencias
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Especificaciones técnicas
1Channels
Lado Alto
8Pins
Montaje en superficie
250mA
10V
-40°C
125ns
-
MSL 2 - 1 Año
-
MOSFET
SOIC
No Inversión
500mA
20V
125°C
105ns
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto