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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 3,900 € |
10+ | 3,010 € |
25+ | 2,690 € |
50+ | 2,610 € |
100+ | 2,530 € |
250+ | 2,490 € |
500+ | 2,480 € |
1000+ | 2,470 € |
Información del producto
Resumen del producto
El IR2113SPBF es un controlador IGBT y MOSFET de potencia de alta tensión y alta velocidad con canales de salida independientes referenciados a lado alto y bajo. Emplea tecnología CMOS inmune a enclavamiento y HVIC propia que permite una construcción monolítica robusta. Las entradas lógicas son compatibles con salida LSTTL o CMOS estándar y lógica tan baja como 3,3V. El controlador de salida cuenta con una etapa de búfer de alta corriente de impulso para conducción transversal de controlador mínima. Los retardos de propagación están equilibrados para simplificar el uso en aplicaciones de alta frecuencia. El canal flotante se puede utilizar para controlar un IGBT o MOSFET de potencia de canal N en la configuración de lado alto que opera hasta 500V/600V.
- Tolerante a tensiones negativas transitorias con inmunidad DV/DT
- Bloqueo por subtensión para ambos canales
- Entradas disparadas por Schmitt CMOS con resistencia de polarización
- Lógica de desconexión disparada por flanco ciclo por ciclo
- Retardo de propagación equilibrado para ambos canales
- Salidas en fase con entradas
Especificaciones técnicas
2Channels
Lado Alto y Lado Bajo
16Pins
Montaje en superficie
2A
10V
-40°C
120ns
-
-
-
IGBT, MOSFET
SOIC
No Inversión
2A
20V
125°C
94ns
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto