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IPG20N06S4L14AATMA1
MOSFET Doble, Canal N, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPG20N06S4L14AATMA1
Código Farnell3816960
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
También conocido comoSP001023846, IPG20N06S4L-14A
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,640 € |
| 10+ | 0,743 € |
| 100+ | 0,591 € |
| 500+ | 0,517 € |
| 1000+ | 0,510 € |
| 5000+ | 0,424 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPG20N06S4L14AATMA1
Código Farnell3816960
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
También conocido comoSP001023846, IPG20N06S4L-14A
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N60V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N20A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P20A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.0116ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P0.0116ohm
Encapsulado del TransistorTDSON
Número de pines8Pins
Disipación de Potencia Canal N50W
Disipación de Potencia Canal P50W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoOptiMOS T2 Series
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
20A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
0.0116ohm
Número de pines
8Pins
Disipación de Potencia Canal P
50W
Gama de Producto
OptiMOS T2 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
20A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.0116ohm
Encapsulado del Transistor
TDSON
Disipación de Potencia Canal N
50W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0006
Trazabilidad del producto