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IPG20N06S4L11ATMA2
MOSFET Doble, Canal N, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPG20N06S4L11ATMA2
Código Farnell3703512
Rango de ProductoOptiMOS-T2 Series
También conocido comoIPG20N06S4L-11, SP001404020
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,970 € |
| 10+ | 1,180 € |
| 100+ | 0,860 € |
| 500+ | 0,652 € |
| 1000+ | 0,604 € |
| 5000+ | 0,519 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPG20N06S4L11ATMA2
Código Farnell3703512
Rango de ProductoOptiMOS-T2 Series
También conocido comoIPG20N06S4L-11, SP001404020
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N60V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N20A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P20A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N9500µohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P9500µohm
Encapsulado del TransistorTDSON
Número de pines8Pins
Disipación de Potencia Canal N65W
Disipación de Potencia Canal P65W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoOptiMOS-T2 Series
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
20A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
9500µohm
Número de pines
8Pins
Disipación de Potencia Canal P
65W
Gama de Producto
OptiMOS-T2 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
20A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
9500µohm
Encapsulado del Transistor
TDSON
Disipación de Potencia Canal N
65W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002
Trazabilidad del producto