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IPG20N04S408AATMA1
MOSFET Doble, Canal N, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPG20N04S408AATMA1
Código Farnell2781205
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
También conocido comoIPG20N04S4-08A, SP000938100
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,830 € |
| 10+ | 1,220 € |
| 100+ | 0,867 € |
| 500+ | 0,696 € |
| 1000+ | 0,608 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPG20N04S408AATMA1
Código Farnell2781205
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
También conocido comoIPG20N04S4-08A, SP000938100
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N40V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N20A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P20A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N7000µohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P7000µohm
Encapsulado del TransistorTDSON
Número de pines8Pins
Disipación de Potencia Canal N65W
Disipación de Potencia Canal P65W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoOptiMOS T2 Series
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Resumen del producto
- OptiMOS® -T2 power transistor
- Dual N-channel normal level - enhancement mode
- Automotive AEC Q101 qualified
- 175°C operating temperature
- 100% avalanche tested
- Feasible for automatic optical inspection (AOI)
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
20A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
7000µohm
Número de pines
8Pins
Disipación de Potencia Canal P
65W
Gama de Producto
OptiMOS T2 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
20A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
7000µohm
Encapsulado del Transistor
TDSON
Disipación de Potencia Canal N
65W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000265
Trazabilidad del producto