Imprimir página
IMZA40R045M2HXKSA1
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 40 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-247
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMZA40R045M2HXKSA1
Código Farnell4803610
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
registre su interés
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 5,160 € |
| 5+ | 4,870 € |
| 10+ | 4,570 € |
| 50+ | 4,420 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
5,16 € (Excl. IVA)
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMZA40R045M2HXKSA1
Código Farnell4803610
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id40A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)400V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0562ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de pines4Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5.6V
Disipación de Potencia130W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoCoolSiC G2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
40A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0562ohm
Número de pines
4Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5.6V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
400V
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
130W
Gama de Producto
CoolSiC G2 Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto