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IMW120R140M1HXKSA1
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
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| 10+ | 6,490 € |
| 100+ | 3,380 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMW120R140M1HXKSA1
Código Farnell3223680
Rango de ProductoCoolSiC
También conocido comoIMW120R140M1H, SP001946184
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id19A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.14ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de Pines3Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4.5V
Disipación de Potencia94W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoCoolSiC
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
19A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.14ohm
Número de Pines
3Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4.5V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
94W
Gama de Producto
CoolSiC
Documentos técnicos (1)
Alternativas para IMW120R140M1HXKSA1
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001
Trazabilidad del producto