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Cantidad | Precio (sin IVA) |
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5+ | 4,940 € |
10+ | 4,430 € |
50+ | 3,930 € |
100+ | 3,880 € |
250+ | 3,870 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMW120R090M1HXKSA1
Código Farnell3223679
Rango de ProductoCoolSiC
También conocido comoIMW120R090M1H, SP001946164
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id26A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.09ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de Pines3Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4.5V
Disipación de Potencia115W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoCoolSiC
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
26A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.09ohm
Número de Pines
3Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4.5V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
115W
Gama de Producto
CoolSiC
Documentos técnicos (1)
Alternativas para IMW120R090M1HXKSA1
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Productos asociados
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001
Trazabilidad del producto