Imprimir página
IMT65R050M2HXUMA1
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 48.1 A, 650 V, 0.046 ohm, HSOF
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMT65R050M2HXUMA1
Código Farnell4677114
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
También conocido comoIMT65R050M2H, SP006051127
Hoja de datos técnicos
50 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 7,150 € |
| 10+ | 5,040 € |
| 100+ | 4,200 € |
| 500+ | 3,770 € |
| 1000+ | 3,690 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
7,15 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMT65R050M2HXUMA1
Código Farnell4677114
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
También conocido comoIMT65R050M2H, SP006051127
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id48.1A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.046ohm
Encapsulado del TransistorHSOF
Número de pines8Pins
Tensión de Prueba Rds(on)20V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5.6V
Disipación de Potencia237W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
48.1A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.046ohm
Número de pines
8Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5.6V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Encapsulado del Transistor
HSOF
Tensión de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
237W
Gama de Producto
CoolSiC Gen 2 Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto