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IMT65R048M1HXUMA1
MOSFET de Carburo de Silicio, Canal N, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMT65R048M1HXUMA1
Código Farnell4228384
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
También conocido comoIMT65R048M1H, SP005716839
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 25 semanas
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 6,650 € |
| 5+ | 5,610 € |
| 10+ | 4,560 € |
| 50+ | 4,060 € |
| 100+ | 3,560 € |
| 250+ | 3,490 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
6,65 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMT65R048M1HXUMA1
Código Farnell4228384
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
También conocido comoIMT65R048M1H, SP005716839
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFET-
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id50A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.048ohm
Encapsulado del TransistorHSOF
Número de pines8Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5.7V
Disipación de Potencia227W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoCoolSiC Trench Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
-
Corriente de Drenaje Continua Id
50A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.048ohm
Número de pines
8Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5.7V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Encapsulado del Transistor
HSOF
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
227W
Gama de Producto
CoolSiC Trench Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001
Trazabilidad del producto