Imprimir página
IMT65R022M1HXUMA1
MOSFET de Carburo de Silicio, Canal N, 79 A, 650 V, 0.022 ohm, HSOF
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMT65R022M1HXUMA1
Código Farnell4228381
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
También conocido comoIMT65R022M1H, SP005716811
Hoja de datos técnicos
1000 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 13,400 € |
| 5+ | 11,610 € |
| 10+ | 9,810 € |
| 50+ | 8,930 € |
| 100+ | 8,040 € |
| 250+ | 7,880 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
13,40 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMT65R022M1HXUMA1
Código Farnell4228381
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
También conocido comoIMT65R022M1H, SP005716811
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFET-
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id79A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.022ohm
Encapsulado del TransistorHSOF
Número de pines8Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5.7V
Disipación de Potencia375W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoCoolSiC Trench Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
-
Corriente de Drenaje Continua Id
79A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.022ohm
Número de pines
8Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5.7V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Encapsulado del Transistor
HSOF
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
375W
Gama de Producto
CoolSiC Trench Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001
Trazabilidad del producto