Imprimir página
IMLT65R033M2HXTMA1
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 68 A, 650 V, 0.041 ohm, HDSOP
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMLT65R033M2HXTMA1
Código Farnell4573828
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
También conocido comoIMLT65R033M2H, SP005969468
Hoja de datos técnicos
1369 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 10,380 € |
| 5+ | 9,250 € |
| 10+ | 8,120 € |
| 50+ | 7,450 € |
| 100+ | 6,770 € |
| 250+ | 6,630 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
10,38 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMLT65R033M2HXTMA1
Código Farnell4573828
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
También conocido comoIMLT65R033M2H, SP005969468
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id68A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.041ohm
Encapsulado del TransistorHDSOP
Número de pines16Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5.6V
Disipación de Potencia312W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoCoolSiC G2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
68A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.041ohm
Número de pines
16Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5.6V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Encapsulado del Transistor
HDSOP
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
312W
Gama de Producto
CoolSiC G2 Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto