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IMCQ120R053M2HXTMA1
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 43 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, HDSOP
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMCQ120R053M2HXTMA1
Código Farnell4695758
Rango de ProductoCoolSiC Series
También conocido comoIMCQ120R053M2H, SP005974969
Hoja de datos técnicos
550 Productos en Stock
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 8,900 € |
| 5+ | 7,760 € |
| 10+ | 6,620 € |
| 50+ | 6,070 € |
| 100+ | 5,520 € |
| 250+ | 5,410 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMCQ120R053M2HXTMA1
Código Farnell4695758
Rango de ProductoCoolSiC Series
También conocido comoIMCQ120R053M2H, SP005974969
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id43A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0526ohm
Encapsulado del TransistorHDSOP
Número de pines22Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5.1V
Disipación de Potencia234W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoCoolSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
IMCQ120R053M2HXTMA1 is a N-channel CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET G2, ideal for a wide range of applications such as solid-state circuit breakers and relays, EV charging stations, online and industrial UPS systems, string inverters, general-purpose drives (GPD), commercial air vehicles (CAV), and servo drives.
- VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C
- IDDC = 39A at TC = 100°C
- RDS(on) = 52.6mohm at VGS = 18V, Tvj = 25°C
- Very low switching losses
- Overload operation up to Tvj = 200°C
- Short circuit withstand time of 2µs
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2 V
- Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
43A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0526ohm
Número de pines
22Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5.1V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
HDSOP
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
234W
Gama de Producto
CoolSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00001
Trazabilidad del producto