Imprimir página
IMBG65R057M1HXTMA1
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMBG65R057M1HXTMA1
Código Farnell3928614RL
Rango de ProductoCoolSiC M1 Trench Series
También conocido comoSP005539175, IMBG65R057M1H
Hoja de datos técnicos
795 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 10+ | 5,180 € |
| 50+ | 4,690 € |
| 100+ | 4,190 € |
| 250+ | 4,110 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 10
Múltiplo: 1
56,80 € (Excl. IVA)
Se añadirá un cargo de 5,00 € por los rollos a medida para este producto
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMBG65R057M1HXTMA1
Código Farnell3928614RL
Rango de ProductoCoolSiC M1 Trench Series
También conocido comoSP005539175, IMBG65R057M1H
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Polaridad de TransistorCanal N
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id39A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.057ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.057ohm
Encapsulado del TransistorTO-263
Número de pines7Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4.5V
Disipación de Potencia161W
Disipación de Potencia Pd161W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoCoolSiC M1 Trench Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.057ohm
Número de pines
7Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4.5V
Disipación de Potencia Pd
161W
Gama de Producto
CoolSiC M1 Trench Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
39A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.057ohm
Encapsulado del Transistor
TO-263
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
161W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Productos asociados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001588
Trazabilidad del producto