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IMBG65R039M1HXTMA1
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMBG65R039M1HXTMA1
Código Farnell3928617RL
Rango de ProductoCoolSiC M1 Trench Series
También conocido comoSP005539169, IMBG65R039M1H
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 25 semanas
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 10+ | 5,700 € |
| 50+ | 5,430 € |
| 100+ | 5,160 € |
| 250+ | 5,060 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 10
Múltiplo: 1
62,00 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMBG65R039M1HXTMA1
Código Farnell3928617RL
Rango de ProductoCoolSiC M1 Trench Series
También conocido comoSP005539169, IMBG65R039M1H
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Polaridad de TransistorCanal N
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id54A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.039ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.039ohm
Encapsulado del TransistorTO-263
Número de pines7Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4.5V
Disipación de Potencia Pd211W
Disipación de Potencia211W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoCoolSiC M1 Trench Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.039ohm
Número de pines
7Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4.5V
Disipación de Potencia
211W
Gama de Producto
CoolSiC M1 Trench Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
54A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.039ohm
Encapsulado del Transistor
TO-263
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia Pd
211W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001588
Trazabilidad del producto