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IMBG65R026M2HXTMA1
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMBG65R026M2HXTMA1
Código Farnell4640387RL
También conocido comoIMBG65R026M2H, SP006051144
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 10+ | 8,000 € |
| 50+ | 7,430 € |
| 100+ | 6,850 € |
| 250+ | 6,820 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMBG65R026M2HXTMA1
Código Farnell4640387RL
También conocido comoIMBG65R026M2H, SP006051144
Hoja de datos técnicos
Corriente de Drenaje Continua Id68A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.024ohm
Número de pines7Pins
Tensión de Prueba Rds(on)20V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5.6V
Disipación de Potencia263W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente de Drenaje Continua Id
68A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.024ohm
Tensión de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
263W
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Número de pines
7Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5.6V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00001
Trazabilidad del producto