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IMBG40R025M2HXTMA1
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMBG40R025M2HXTMA1
Código Farnell4538820
Rango de ProductoCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
También conocido comoIMBG40R025M2H, SP006064661
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 9,260 € |
| 5+ | 8,140 € |
| 10+ | 7,020 € |
| 50+ | 6,440 € |
| 100+ | 5,850 € |
| 250+ | 5,730 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMBG40R025M2HXTMA1
Código Farnell4538820
Rango de ProductoCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
También conocido comoIMBG40R025M2H, SP006064661
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id68A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)400V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0321ohm
Encapsulado del TransistorTO-263
Número de pines7Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5.6V
Disipación de Potencia214W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
IMBG40R025M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 7 pin TO263 package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 25.4mohm RDS(on), 68A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
68A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0321ohm
Número de pines
7Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5.6V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
400V
Encapsulado del Transistor
TO-263
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
214W
Gama de Producto
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto