Imprimir página
IMBG120R060M1HXTMA1
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
2625 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 10+ | 5,680 € |
| 50+ | 5,230 € |
| 100+ | 4,220 € |
| 250+ | 4,140 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 10
Múltiplo: 1
61,80 € (Excl. IVA)
Se añadirá un cargo de 5,00 € por los rollos a medida para este producto
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMBG120R060M1HXTMA1
Código Farnell3582463RL
Rango de ProductoCoolSiC
También conocido comoIMBG120R060M1H, SP004363744
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Polaridad de TransistorCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id36A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.06ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.06ohm
Encapsulado del TransistorTO-263 (D2PAK)
Número de pines7Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4.5V
Disipación de Potencia181W
Disipación de Potencia Pd181W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoCoolSiC
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Polaridad de Transistor
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.06ohm
Número de pines
7Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4.5V
Disipación de Potencia Pd
181W
Gama de Producto
CoolSiC
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
36A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.06ohm
Encapsulado del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
181W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Productos asociados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0006
Trazabilidad del producto