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IMBG120R030M1HXTMA1
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMBG120R030M1HXTMA1
Código Farnell3582461
Rango de ProductoCoolSiC Series
También conocido comoIMBG120R030M1H, SP004463784
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 14,650 € |
| 5+ | 12,490 € |
| 10+ | 10,330 € |
| 50+ | 9,830 € |
| 100+ | 9,320 € |
| 250+ | 9,130 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIMBG120R030M1HXTMA1
Código Farnell3582461
Rango de ProductoCoolSiC Series
También conocido comoIMBG120R030M1H, SP004463784
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id56A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.041ohm
Encapsulado del TransistorTO-263 (D2PAK)
Número de pines7Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5.7V
Disipación de Potencia300W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoCoolSiC Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
IMBG120R030M1HXTMA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology. Typical application includes drives, infrastructure – charger, energy generation - solar string inverter and solar optimizer and industrial power supplies - industrial UPS.
- DC drain current is 56A, drain-source on-state resistance is 30mohm(VGS = 18V, ID = 25A, Tvj = 25°C)
- Very low switching losses
- Short circuit withstand time 3µs
- Fully controllable dV/dt
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- Package creepage and clearance distance greater than 6.1mm
- Sense pin for optimized switching performance
- Available in 7 pin TO-263 package
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
56A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.041ohm
Número de pines
7Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5.7V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
300W
Gama de Producto
CoolSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001959
Trazabilidad del producto