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IGT65R140D2ATMA1
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGT65R140D2ATMA1
Código Farnell4695749RL
También conocido comoIGT65R140D2, SP005965886
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 2,280 € |
| 500+ | 1,910 € |
| 1000+ | 1,630 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 150
Múltiplo: 1
342,00 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGT65R140D2ATMA1
Código Farnell4695749RL
También conocido comoIGT65R140D2, SP005965886
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Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
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