IGT60R190D1SATMA1

IGT60R190D1SATMA1 es un transistor de potencia en modo de mejora CoolGaN™ de 600 V. El IGT60R190D1 permite topologías más compactas y una mayor eficiencia a frecuencias más altas. Está certificado a través de un extenso proceso de cualificación específico de GaN, superando los estándares de la industria. Está diseñado para la disipación de potencia óptima que requieren los modernos centros de datos, servidores, telecomunicaciones, energías renovables y muchas otras aplicaciones. Las aplicaciones incluyen SMPS industriales, de telecomunicaciones y de centros de datos basadas en la topología de medio puente (topologías de medio puente para conmutación dura y suave, como PFC Totem pole, LLC de alta frecuencia).

• Transistores de modo mejorado: interruptor OFF normalmente, conmutación ultra-rápida
• Sin carga de recuperación inversa, conducción inversa posible
• Baja carga de puerta, carga de salida baja, robustez de conmutación superior
• Calificado para aplicaciones industriales según los estándares JEDEC (JESD47 y JESD22)
• Mejora la eficiencia del sistema, mejora la densidad de potencia
• Permite una mayor frecuencias de funcionamiento, ahorro en la reducción de costes del sistema, reduce EMI
• La tensión drenaje-fuente (continua) es de 600V a VGS = 0V, Tj = 25°C
• La resistencia en estado encendido de la fuente-drenaje es típica de 0,19ohm a IG=9,6mA, ID=5A, Tj=25 °C
• Encapsulado PG-HSOF-8-3
• Rango de temperatura de operación de -55 a 150°C

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